SiC肖特基势垒二极管

SiC器件具有精彩的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频行动和高温行动。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产物的小型化、轻量化。

产物信息

  • 产物信息

SiC-SBD系列

接线 VRRM (V) Io (A)
TO-220

TO-220F

TO-247

T-Pack(s)
单管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
8 FDCP08S65 FDCA08S65
10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
双管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
50     FDCY50C65  
1200 36     FDCY36C120  

:新产物

:更新

:开发中

 


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